박막 CoFeB의 출현은 지난 수십 년 동안 연구 및 산업 응용 분야를 주도해 왔으며 가장 두드러진 예는 자기 랜덤 액세스 메모리(MRAM)입니다. 유익한 특성으로 인해 자기 터널 접합에서 정보 저장, 스핀 필터링 및 참조 레이어와 같은 여러 기능을 수행합니다. 미래에 이러한 다재다능함은 산화물 기반 재료와 같은 고급 재료와 결합하여 스핀트로닉스의 전통적인 응용 분야를 넘어 활용될 수 있습니다. 펄스 레이저 증착(PLD)이 주요 성장 방법이므로 이 성장 기술과 CoFeB의 호환성을 여기에서 테스트합니다. 여기에는 구조적 특성과 자기적 특성에 대한 포괄적인 조사가 포함됩니다. 특히, 상당한 'dead' 자성층을 발견하여 XMCD(자기원편광이색성) 효과를 이용한 산화에 의한 것임을 확인하였다. 벡터 네트워크 분석기 기반 강자성 공명(VNA-FMR)에서 발생하는 낮은 댐핑은 마그노닉스 응용 분야에 적합합니다. 이러한 결과는 CoFeB 박막이 새로운 PLD 성장 재료와 호환 가능하여 향후 응용 분야와의 관련성을 보장한다는 것을 보여줍니다.
사용 가능한 구성:
CoFeB 40/40/20at%
CoFeB 40/40/20wt%
CoFeB 60/25/15at%
CoFeB 20/60/20at%
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